一、功能

1. 二次电子、背散射电子成像；

2. 可以同时获取BF、DF以及HAADF图像；  

3. EDS能谱分析（点、线、面）。

二、技术指标

1. 分辨率：二次电子图像：0.6 nm (15 kV)，0.7 nm  (1 kV)；背散射电子像：1.5 nm (15 kV)；

2. 着陆电压范围为20V ～ 30 kV，束流范围为0.8 pA ～ 100 nA（15 kV）、0.8 pA ～ 100 nA（2 kV）、0.8 pA ～ 100 nA（1 kV）；

3. 具备STEM探头；

4. 配备有防样品被空气氧化的传输装置。

 三、联系工程师测试

  卢老师：15902286756