一、功能

1. 二次电子、背散射电子以及镓离子成像；

2. 三维重构和数据分析；

3. TEM样品的制备；

4. 半导体元器件、集成电路的修补和失效分析；

5. EDS能谱分析（点、线、面）。

   
   

二、技术指标

1. 在最佳工作距离的分辨率：≤0.6 nm @ 2 kV（二次电子成像分辨率）、≤0.7 nm @ 1 kV（二次电子成像分辨率）；在双束交叉点的分辨率：≤0.6 nm @ 15 kV（二次电子成像分辨率）、≤0.9 nm @ 5 kV（二次电子成像分辨率）、≤1.2 nm @ 1 kV（二次电子成像分辨率）；

2. 电子束着陆电压：20 V ～ 30 kV；

3. 离子束加速电压：500 V ～ 30 kV；

4. 离子束束流强度：0.1 pA ～ 65 nA；

5. 离子束分辨率：2.5 nm @ 30 kV（使用单边测量法）≤4.0 nm @ 30 kV（利用统计测量法）；

6. 沉积及刻蚀辅助材料：Pt、C、TEOS、W、XeF2；

7. 配备有纳米机械手；

8. 配备有防样品被空气氧化的传输装置 。

 三、联系工程师测试

  盖老师：17822149615，